11月20日消息,近日,专注于半导体激光领域的初创公司晶飞半导体,宣布已于2023年9月中旬成功完成了数千万元的天使轮融资。晶飞半导体本次融资由无限基金See Fund领投,德联资本和中科神光跟投。
本轮融资为晶飞半导体注入了强大的资本支持,所获资金将主要应用于公司产品迭代与更新,积极响应行业需求,通过技术创新提供更先进、更经济的解决方案,推动中国半导体产业的发展,乃至为全球半导体技术的进步贡献重要力量。
晶飞半导体成立于2023年7月,专注于激光垂直剥离技术研究,旨在实现对第三代半导体材料的精准剥离,以有效降低碳化硅衬底的生产成本。在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面,公司近5年连续获得“北京市科技计划项目”支持,并正与国内头部的衬底企业展开合作工艺开发。
公司的技术源自中科院半导体所的科技成果转化,创始团队深耕于激光精细微加工领域,利用超快激光技术,为各种超薄、超硬、脆性材料提供激光解决方案,积极推动激光精细加工在制造业的国产化和传统工艺替代。
相较于传统金刚线切割工艺,激光垂直剥离技术可完成高效、精准的材料剥离,同时减少了碳化硅晶圆的损伤,从而解决了加工速度低、损耗大、成本高等问题。
目前晶飞半导体的第一代样机已完成组装与调试,正在与头部企业客户进行合作验证和工艺开发。产品在工艺与设备的稳定一致性达到客户要求后即可完成客户端产线部署的商业化进程,本轮融资正是在商业化节点上提供重要助力。
加上晶飞半导体团队此前已经做了大量的知识产权储备,使公司能够在多个领域提供创新解决方案,通过与客户的紧密合作以确保他们够充分利用公司的设备和技术,让公司的创新成果在半导体材料加工中具有巨大潜力,为客户提供更高效、更精确的加工解决方案。
晶飞半导体本次投资跟投方德联资本投资经理康乾熙认为,新能源革命的大背景下,碳化硅功率器件市场潜力巨大,但成本是制约其渗透率的关键因素。在器件层面,碳化硅衬底成本占比高达47%,且由于其材料物理特性,在切片环节中近一半的材质被无谓损耗;激光剥片这一新技术的出现可以显著降低衬底成本,是推动碳化硅器件渗透的重要手段。